輻射溫度計在單晶硅提拉設(shè)備的溫度控制上的運用

發(fā)布日期：2023-03-06      瀏覽次數(shù)：524

輻射溫度計在單晶硅提拉設(shè)備的溫度控制上的運用

多晶硅在坩堝中熔化時的溫度控制和晶種后旋轉(zhuǎn)提拉時的溫度控制。
從升降機視口進行的溫度測量。



單晶硅提拉過程中的溫度控制。

選型要點

對于硅的溫度測量，在 1.1 μm 或更小的波長下進行溫度測量是最佳的，因為溫度的發(fā)射率變化很小。
FTKX 系列和 FLHX 系列是理想的，因為它們具有廣泛的遠距離、小光點類型（從 φ0.15 起）。由于光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊且耐熱150°C，因此即使環(huán)境溫度稍高也可以安裝。
頭分離型無需采取輻射熱對策。

所選機型

• NEW!在惡劣環(huán)境和狹小空間也能自由使用的1ms光纖型
  半階型

  

  光纖式輻射溫度計FTKX系列

  測量溫度范圍：100°C至2000°C

• 纖維型（耐熱磁場）

• 高溫

• 用于通過石英

• 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

• 用于金屬

• NEW! 1ms 輻射溫度計，規(guī)格可根據(jù)測量對象改變

  

  無纖維輻射溫度計 FLHX 系列

  測量溫度范圍：90°C 至 2000°C

• 高溫

• 用于通過石英

• 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

• 用于金屬