半導(dǎo)體型壓力傳感器結(jié)構(gòu)及操作說明
硅片受壓部(硅膜片)與通常的IC制造工序一樣,通過雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅規(guī)。
當(dāng)對(duì)硅片施加壓力時(shí),儀表電阻會(huì)根據(jù)撓度而變化,并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。(壓阻效應(yīng))
該量規(guī)的特點(diǎn)是量規(guī)系數(shù)大。(金屬量規(guī)是2-3,而硅量規(guī)是幾個(gè)10-100)。
結(jié)果,可以獲得高輸出,使得可以制造厚膜片,這提高了壓力傳感器的耐壓性。
半導(dǎo)體型壓力傳感器
VDP4、VSW2(低壓用)等
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器由與被測(cè)介質(zhì)直接接觸的高耐腐蝕性金屬膜片(相當(dāng)于哈氏合金C-22、SUS316L等)和檢測(cè)壓力的硅片(硅膜片)構(gòu)成通過封閉的硅油。),采用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L隔膜(或相當(dāng)于哈氏合金C-22)通過壓力入口直接與測(cè)量介質(zhì)接觸,可以穩(wěn)定測(cè)量未浸入其中的介質(zhì)(空氣、水、油等)。[連接螺紋為 G3/8 時(shí),使用 O 型圈(氟橡膠)密封管道。] ]
我們可以制造可以測(cè)量正壓、負(fù)壓、復(fù)合壓和絕壓的各種傳感器元件。
與介質(zhì)直接接觸的受壓部分材質(zhì)相當(dāng)于哈氏合金C-22,可采用SUS316L制造,耐腐蝕性能優(yōu)異。
由于檢測(cè)壓力的硅芯片的厚隔膜,具有出色的耐壓性
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等。